在5G上的应用
详细介绍
关于5G基站，一个完整的基站是由三个部分组成， 分别是BBU+RRU+天线。其中BBU是基带处理单元， 而RRU+天线是将天线电波发射到用户的最后处理单 元。如图：
从1G到5G天线从无源天线到有源天线，这就意味着天线朝着智能化，小型化的方向发展，5G天线相对比4G天线特点是：多频段，高频率，多波束，可调谐。因此5G面临高频环境下多频段共存的问题，所以怎样降低相互之间的耦合，如何增加信道的隔离度是5G天线设计的目标，所以科学家们把注意力集中到去耦， 也就是去相互之间的电磁辐射，去相关性也就是把一个一个工作单元放在一个一个闭合回路里去独立工作而互不干扰。
基于5G天线去耦，去相关性的设计要求用传统的PCB板作为主体结构是无法满足这一个设计的要求，我们必须要找到一个低介电数
（DK）及低介电损耗率（DF)值来达到无电磁辐射进而达到去耦合这个目标，同时又要满足可以用来镭射及电镀需要的在高温环境下及LDS环境下的高分子稳定性的材料，来创建闭合电路进而达到去相关性。
这个责任就落到了熔点282℃,RTI220℃的高分子材料PPS，在这里DIC PPS 1140D5 HW应运而生，该材料不仅有杰出的低DK值及低DF 值，还具有良好的LDS及电镀等特性。
华为测试值：
| 示波器测试值 | 实验室测试值 | ||||
| 样品名称 | F（MHz） | Q | Dk | Df | 厚度 |
|
空腔 |
2534.2 |
13799 |
/ |
/ |
/ |
| DIC FZ-114D5 HW | 2502.9 | 4260 | 4.0195 | 0.0050 | 1.9826 |
| DIC FZ-114D5 HW | 2502.8 | 4266 | 4.0290 | 0.0050 | 1.9834 |
| DIC FZ-114D5 HW | 2502.7 | 4248 | 4.0342 | 0.0050 | 1.9856 |
1140D5 HW
■ 概要: 1140D5HW 是40%玻纤增强的以线性树脂为基体的PPS复合材料，具有低飞边、高流动
性，适用于5G基站天线振子
■颜色: 黑色和本色（ 略带灰（黄） 的白色)
1140D5 HW的工程特性
性 能 测试方法 单位 1140D5 HW
| 一般信息 |
GF40% 高流动 低飞边 |
物理性质
|
密度 吸水率, 23˚C /24hrs. 成型收缩率 a 机械性能 |
ISO 1183 ISO 62 ISO 294-4 |
g/cm³ % % |
1.67 0.01 0.3/0.7 |
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拉伸强度 拉伸模量 拉伸断裂伸长率 弯曲强度 弯曲模量 弯曲断裂伸长率 简支梁冲击强度, 有缺口 无缺口 摩擦系数 b, 静态/动态 |
ISO 527-1,2 ISO 527-1,2 ISO 527-1,2 ISO 178 ISO 178 ISO 178 ISO 179/1eA ISO 179/1eU - |
MPa GPa % MPa GPa % kJ/m2 kJ/m2 - |
190 16.0 1.5 280 15.0 1.9 9 45 0.35/0.35 |
||||||||
热性能
|
热变形温度, 1.80MPa 线性膨胀系数a, -50~50 ˚C 线性膨胀系数a, 100~200 ˚C 可燃性 c/ 厚度(mm) 电性能 |
ISO 75-1,2 ISO 11359-2 ISO 11359-2 UL-94 |
˚C x 10-5/K x 10-5/K - |
270 1.5/4.0 1.5/10.5 V-0/0.74 |
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介电强度, t=1.0mm 介电常数, 2.5GHZ 介电损耗因子 2.5GHZ 相对漏电起痕指数（CTI) 体积电阻 |
IEC 60243-1 IEC 60250 IEC 60250 IEC 60112 IEC 60093 |
kV/mm - - V Ω･cm |
26 4 0.003 175 1016 |
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成型条件 料筒温度 模具温度 |
- - |
˚C ˚C |
300-340 130-150 |
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a: 流动方向/垂直流动方向
b: P=150kPa, V=0.3m/s, PPS vs. 碳钢
c: UL file No. E53829
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